Память DDR4 4Gb 2666MHz Hynix HMA851S6CJR6N-VKN0 OEM PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank — B2B Каталог НАСКА
Память DDR4 4Gb 2666MHz Hynix HMA851S6CJR6N-VKN0 OEM PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank
Опубликовано: 21.03.2022

$32.50 | 3 019.90

Доступно для заказа: уточните у менеджера
Артикул: HMA851S6CJR6N-VKN0 Категория:

Детали

Бренд

HYNIX

Тип памяти

DDR4

Тактовая частота

2666

Количество в упаковке

1

Тип поставки

OEM

Форм-фактор

SO-DIMM

Буферизация

unbuffered

Количество контактов

260-pin

Показатель скорости

PC4-21300

Скорость (тест)

2666МГц

Напряжение (тест)

1.2В

Латентность (CAS)

CL19

Количество рангов (Ranks)

single rank

PartNumber/Артикул Производителя

HMA851S6CJR6N-VKN0

Объем

4096

Модель

HMA851S6CJR6N-VKN0

Задержка (тест)

19-19-19

Вес упаковки (ед)

0.024

Количество чипов

4

Объем одного модуля

4

Тип

Оперативная память

Суммарный объем памяти всего комплекта

4

Длина упаковки (ед)

0.069

Ширина упаковки (ед)

0.03

Высота упаковки (ед)

0.003

Габариты упаковки (ед) ДхШхВ

0.069×0.03×0.003

Объем упаковки (ед)

0.00000621

RAS to CAS Delay (tRCD)

19

Row Precharge Delay (tRP)

19


* Внешний вид товара, его цвет и характеристики могут отличаться от представленных на сайте. Производитель оставляет за собой право без уведомления потребителя вносить изменения в конструкцию изделий для улучшения их технологических и эксплуатационных параметров. Технические характеристики товара могут отличаться, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ.

** От партии к партии допустимы некоторые расхождения в оттенке цвета, объясняемые применяемой технологией.