Детали
Бренд | SAMSUNG |
---|---|
Форм-фактор | M.2 2280 |
Модель | MZ-V9P1T0BW |
PartNumber/Артикул Производителя | MZ-V9P1T0BW |
Объем накопителя | 1024 |
Серия | 990 Pro |
Максимальная скорость чтения | 7450 |
Максимальная скорость записи | 6900 |
Время наработки на отказ | 1500000 |
Поддержка NVMe | ДА |
Потребляемая мощность | 5.4 |
Мощность в режиме ожидания | 0.05 |
Толщина товара | 2.3 |
Ударостойкость при работе | 1500 G |
Ударостойкость при хранении | 1500 G |
Базовая модель | MZ-V9P1T0BW |
Вес упаковки (ед) | 0.122 |
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 1200000 |
Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 1550000 |
Тип памяти NAND | 3D TLC |
Разъем | M.2 |
Тип жесткого диска | SSD |
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 1550000 |
Длина упаковки (ед) | 0.145 |
Ширина упаковки (ед) | 0.099 |
Интерфейс | PCIe 4.0 x4 |
DRAM буфер | ДА |
Объем DRAM буфера | 1024 |
Ресурс TBW | 600 |
Для ПК/ноутбука | ДА |
Поддержка TRIM | ДА |
Ширина товара | 22 |
Длина товара | 80 |
Вес устройства | 9 |
Высота упаковки (ед) | 0.02 |
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.145×0.099×0.02 |
Объем упаковки (ед) | 0.0002871 |