Детали
| Тип оперативной памяти | DDR5` Description=`bТип оперативной памяти./b#xD;#xA;pТип определяет внутреннюю структуру и основные характеристики памяти. На сегодняшний день существует пять основных типов оперативной памяти SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, RIMM. #xD;#xA;pbSDRAM/b (Synchronous Dynamic Random Access Memory) — синхронная динамическая память со случайным доступом. Преимуществом, по сравнению с памятью предыдущих поколений, является наличие синхронизации с системным генератором, что позволяет контроллеру памяти точно знать время готовности данных, благодаря чему временные задержки в процессе циклов ожидания уменьшаются, т.к. данные могут быть доступны во время каждого такта таймера. #xD;#xA;pbDDR SDRAM/b (Double Data Rate SDRAM) — синхронная динамическая память со случайным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Основным преимуществом DDR SDRAM перед SDRAM является то, что за один такт системного генератора может осуществляться две операции с данными, что приводит к увеличению вдвое пиковой пропускной способности при работе на той же частоте.#xD;#xA;pbDDR2 SDRAM/b — поколение памяти, следующее за DDR. Принцип функционирования аналогичен использующемуся в DDR. Отличие состоит в возможности выборки 4-х бит данных за один такт (для DDR осуществляется 2-х битная выборка), а также в более низком энергопотреблении модулей памяти, меньшем тепловыделении и увеличении рабочей частоты.#xD;#xA;pbDDR3 SDRAM/b — следующее поколение после DDR2 SDRAM, она использует ту же технологию удвоения частоты. Основные отличия от DDR2 — способность работать на более высокой частоте, и меньшее энергопотребление. Модули DDR3 также как и DDR2 имеют 240 контактных площадок, но при этом используются другие ключи (ориентирующие прорези), что делает их несовместимыми со старыми слотами. |
|---|---|
| Объём, Гб | 32` Description=` |
| Частота функционирования, МГц | 4800` Description=` |
| Форм-фактор оперативной памяти | RDIMM` Description=`bФорм-фактор/b (от англ. form factor) — стандарт технического изделия описывающий некоторую совокупность его технических параметров, например форму, размер, положение и типы разъёмов, требований к вентиляции, напряжениям и прочих параметров. |
| Количество контактов | 288` Description=`UКоличество контактных площадок/U, расположенных на модуле памяти. Количество контактов в слоте для оперативной памяти на материнской плате должно совпадать с количеством контактов на модуле. Следует также иметь в виду, что помимо одинакового количества контактов должны совпадать и ключи (специальные вырезы на модуле, препятствующие неправильной установке). |
| Напряжение, В | 1,1000` Description=` |
| Количество модулей в комплекте | 1` Description=` |
| Наличие буфера на модуле памяти (Registered) | Да` Description=`Наличие на модуле памяти специальных регистров (буфера), которые относительно быстро сохраняют поступившие данные и снижают нагрузку на систему синхронизации, освобождая контроллер памяти. Наличие буфера между контроллером и чипами памяти приводит к образованию дополнительной задержки в один такт при выполнении операций, т.е. более высокая надежность достигается за счет незначительного падения быстродействия. Модули памяти с регистрами имеют высокую стоимость и используются в основном в серверах. Следует иметь в виду, что буферизованная и небуферизованная память несовместимы, т.е. не могут одновременно использоваться в одной системе. |
| Поддержка ECC | Да` Description=`bПоддержка Error Checking and Correction/b — алгоритма, позволяющего не только выявлять, но и исправлять случайные ошибки (не более одного бита в байте), возникающие в процессе передачи данных. Технологию ECC поддерживают некоторые материнские платы для рабочих станций и практически все серверные. Модули памяти с ECC имеют более высокую стоимость, чем не поддерживающие этот алгоритм. |
| Совместимость | для серверов#xD;#xA;` Description=` |





