Netac SSD NV7000-t 1TB PCIe 4 x4 M.2 2280 NVMe 3D NAND, R/W up to 7300/6600MB/s, TBW 640TB, slim heatspreader, 5y wty — B2B Каталог НАСКА
Netac SSD NV7000-t 1TB PCIe 4 x4 M.2 2280 NVMe 3D NAND, R/W up to 7300/6600MB/s, TBW 640TB, slim heatspreader, 5y wty
Опубликовано: 09.06.2023

$115.70 - $133.90 | 10 289.06 - 13 734.94

Доступно для заказа: уточните у менеджера
Артикул: NT01NV7000T-1T0-E4X Категория:

Детали

Бренд

NETAC

Серия

NV7000-t

Форм-фактор

M.2 2280

Модель

NT01NV7000t-1T0-E4X

PartNumber/Артикул Производителя

NT01NV7000T-1T0-E4X

Объем накопителя

1024

Максимальная скорость чтения

7300

Максимальная скорость записи

6600

Время наработки на отказ

2000000

Поддержка NVMe

ДА

Разъем

M.2

Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)

1000000

Тип памяти NAND

3D

Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)

700000

Ресурс TBW

640

Толщина товара

2.3

Радиатор охлаждения

ДА

Ударостойкость при работе

1500 G

Ударостойкость при хранении

1500 G

Совместимость с PS5

ДА

Тип жесткого диска

SSD

Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)

700000

Вес упаковки (ед)

0.044

Длина упаковки (ед)

0.129

Ширина упаковки (ед)

0.065

Высота упаковки (ед)

0.015

Габариты упаковки (ед) ДхШхВ

0.129×0.065×0.015

Объем упаковки (ед)

0.000125775

Интерфейс

PCIe 4.0 x4

Для ПК/ноутбука

ДА

Поддержка TRIM

ДА

Ширина товара

22

Длина товара

80

Вес устройства

8

Ключ M.2 разъема

M


* Внешний вид товара, его цвет и характеристики могут отличаться от представленных на сайте. Производитель оставляет за собой право без уведомления потребителя вносить изменения в конструкцию изделий для улучшения их технологических и эксплуатационных параметров. Технические характеристики товара могут отличаться, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ.

** От партии к партии допустимы некоторые расхождения в оттенке цвета, объясняемые применяемой технологией.