Детали
| Бренд | SAMSUNG |
|---|---|
| Серия | 980 |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Модель | MZ-V8V1T0BW |
| PartNumber/Артикул Производителя | MZ-V8V1T0BW |
| Объем накопителя | 1024 |
| Максимальная скорость чтения | 3500 |
| Максимальная скорость записи | 3000 |
| Время наработки на отказ | 1500000 |
| Контроллер NAND | Samsung Pablo Controller |
| Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 500000 |
| Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 480000 |
| Поддержка NVMe | ДА |
| Потребляемая мощность | 5.3 |
| Мощность в режиме ожидания | 0.045 |
| Вес упаковки (ед) | 0.122 |
| Разъем | M.2 |
| Ударостойкость при хранении | 1500 G |
| Толщина товара | 2.38 |
| Тип жесткого диска | SSD |
| Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 480000 |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.145×0.099×0.021 |
| Объем упаковки (ед) | 0.000301455 |
| Интерфейс | PCIe 3.0 x4 |
| Ресурс TBW | 600 |
| Поддержка TRIM | ДА |
| Ширина товара | 22.15 |
| Длина товара | 80.15 |
| Вес устройства | 8 |
| Ключ M.2 разъема | M |
| Для ПК/ноутбука | ДА |
| Ударостойкость при работе | 1500 G |
| Назначение | для ПК/ноутбука |
| Тип памяти NAND | TLC |
| Структура памяти NAND | 3D |
