Детали
| Бренд | SAMSUNG |
|---|---|
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Модель | MZ-V9P1T0BW |
| PartNumber/Артикул Производителя | MZ-V9P1T0BW |
| Объем накопителя | 1024 |
| Серия | 990 Pro |
| Максимальная скорость чтения | 7450 |
| Максимальная скорость записи | 6900 |
| Время наработки на отказ | 1500000 |
| Поддержка NVMe | ДА |
| Потребляемая мощность | 5.4 |
| Мощность в режиме ожидания | 0.05 |
| Толщина | 2.3 |
| Ссылка на сайт поставщика/вендора | https://www.samsung.com/sg/memory-storage/nvme-ssd/990-pro-1tb-nvme-pcie-gen-4-mz-v9p1t0bw/ |
| Ударостойкость при работе | 1500 G |
| Ударостойкость при хранении | 1500 G |
| Базовая модель | MZ-V9P1T0BW |
| Вес упаковки (ед) | 0.122 |
| Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 1200000 |
| Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 1550000 |
| Тип памяти NAND | 3D TLC |
| Разъем | M.2 |
| Тип жесткого диска | SSD |
| Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 1550000 |
| Длина упаковки (ед) | 0.145 |
| Ширина упаковки (ед) | 0.099 |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.145×0.099×0.021 |
| Высота упаковки (ед) | 0.021 |
| Объем упаковки (ед) | 0.000301455 |
| Интерфейс | PCIe 4.0 x4 |
| Объем накопителя ТБ | 1 |
| DRAM буфер | ДА |
| Объем DRAM буфера | 1024 |
| Ресурс TBW | 600 |
| Для ПК/ноутбука | ДА |
| Поддержка TRIM | ДА |
| Ширина товара | 22 |
| Длина товара | 80 |
| Вес устройства | 9 |
