Детали
| Бренд | SAMSUNG |
|---|---|
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Интерфейс | PCIe 4.0 x4 |
| Тип жесткого диска | SSD |
| Объем накопителя | 1024 |
| Модель | MZ-V9V1T0BW |
| PartNumber/Артикул Производителя | MZ-V9V1T0BW |
| Пропускная способность интерфейса | 64 |
| Максимальная скорость чтения | 7150 |
| Максимальная скорость записи | 6450 |
| Время наработки на отказ | 1500000 |
| Поддержка NVMe | ДА |
| Поддержка TRIM | ДА |
| Разъем | M.2 |
| Ключ M.2 разъема | M |
| DRAM буфер | ДА |
| Объем DRAM буфера | 1024 |
| Тип памяти NAND | MLC |
| Структура памяти NAND | 3D |
| Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 700000 |
| Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 1100000 |
| Ресурс TBW | 400 |
| Потребляемая мощность | 4.3 |
| Мощность в режиме ожидания | 0.055 |
| Толщина товара | 2.38 |
| Ширина товара | 22.15 |
| Длина товара | 80.15 |
| Вес устройства | 9 |
| Цвет | черный |
| Ударостойкость при работе | 1500 G |
| Ударостойкость при хранении | 1500 G |
| Назначение | для ноутбука, для ПК |
| Вес упаковки (ед) | 0.122 |
| Объем упаковки (ед) | 0.000319 |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.145×0.1×0.022 |
