Детали
| Бренд | SAMSUNG |
|---|---|
| Интерфейс | PCIe 4.0 x4 |
| Тип жесткого диска | SSD |
| Объем накопителя | 2048 |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| PartNumber/Артикул Производителя | MZ-V9E2T0BW |
| Модель | 990 EVO |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.14×0.1×0.02 |
| Вес упаковки (ед) | 0.13 |
| Объем упаковки (ед) | 0.00028 |
| Максимальная скорость чтения | 5000 |
| Максимальная скорость записи | 4200 |
| Время наработки на отказ | 1500000 |
| Поддержка NVMe | ДА |
| Поддержка TRIM | ДА |
| Разъем | M.2 |
| Тип памяти NAND | 3D |
| Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 800000 |
| Ресурс TBW | 1200 |
| Потребляемая мощность | 5.5 |
| Мощность в режиме ожидания | 0.06 |
| Толщина товара | 2.38 |
| Ширина товара | 22 |
| Длина товара | 80 |
| Вес устройства | 9 |
| Ключ M.2 разъема | M |
| Для ПК/ноутбука | ДА |
| Ударостойкость при хранении | 1500 G |
| Особенности | Samsung V-NAND TLC |
| Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 700000 |
| Назначение | для ПК/ноутбука |
