Детали
| Бренд | SAMSUNG |
|---|---|
| Объем накопителя | 2048 |
| Серия | 990 Pro |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Модель | MZ-V9P2T0B/AM |
| PartNumber/Артикул Производителя | MZ-V9P2T0B/AM |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.144×0.098×0.021 |
| Вес упаковки (ед) | 0.12 |
| Объем упаковки (ед) | 0.000296352 |
| Максимальная скорость чтения | 7450 |
| Максимальная скорость записи | 6900 |
| Время наработки на отказ | 1500000 |
| Поддержка NVMe | ДА |
| Разъем | M.2 |
| Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 1400000 |
| Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 1550000 |
| Ресурс TBW | 1200 |
| Потребляемая мощность | 8.5 |
| Мощность в режиме ожидания | 0.055 |
| Толщина товара | 2.3 |
| Ударостойкость при работе | 1500 G |
| Ударостойкость при хранении | 1500 G |
| Тип жесткого диска | SSD |
| Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 1550000 |
| Интерфейс | PCIe 4.0 x4 |
| Поддержка TRIM | ДА |
| DRAM буфер | ДА |
| Объем DRAM буфера | 2048 |
| Ширина товара | 22 |
| Длина товара | 80 |
| Вес устройства | 9 |
| Для ПК/ноутбука | ДА |
| Назначение | для ПК/ноутбука |
| Тип памяти NAND | TLC |
| Структура памяти NAND | 3D |
