Детали
| Бренд | SAMSUNG |
|---|---|
| Объем накопителя | 1024 |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| PartNumber/Артикул Производителя | MZ-N6E1T0BW |
| Модель | MZ-N6E1T0BW |
| Максимальная скорость чтения | 550 |
| Максимальная скорость записи | 520 |
| Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 97000 |
| Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 88000 |
| Серия | 860 EVO |
| Время наработки на отказ | 1500000 |
| Потребляемая мощность | 4.5 |
| Особенности | Тип NAND: Samsung V-NAND 3bit MLC |
| Вес упаковки (ед) | 0.14 |
| Контроллер NAND | Samsung MJX |
| Объем кэш-памяти SSD | 1 |
| Ударостойкость при работе | 1500 G |
| Ударостойкость при хранении | 1500 G |
| Тип жесткого диска | SSD |
| Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 88000 |
| Интерфейс | SATA III |
| Разъем | M.2 |
| DRAM буфер | ДА |
| Объем DRAM буфера | 1024 |
| Ресурс TBW | 600 |
| Толщина товара | 2.38 |
| Поддержка TRIM | ДА |
| Ширина товара | 22.15 |
| Длина товара | 80.15 |
| Вес устройства | 8 |
| Ключ M.2 разъема | M/B |
| Для ПК/ноутбука | ДА |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.101×0.025×0.129 |
| Объем упаковки (ед) | 0.000325725 |
| Назначение | для ПК/ноутбука |
| Тип памяти NAND | TLC |
| Структура памяти NAND | 3D |
