Детали
| Бренд | SAMSUNG |
|---|---|
| Серия | 860 EVO |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| PartNumber/Артикул Производителя | MZ-N6E500BW |
| Модель | MZ-N6E500BW |
| Объем накопителя | 500 |
| Максимальная скорость чтения | 550 |
| Максимальная скорость записи | 520 |
| Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 97000 |
| Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 88000 |
| Время наработки на отказ | 1500000 |
| Потребляемая мощность | 4 |
| Особенности | Тип NAND: Samsung V-NAND 3bit MLC |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.15×0.02×0.01 |
| Объем упаковки (ед) | 0.00003 |
| Ресурс TBW | 300 |
| Контроллер NAND | Samsung MJX |
| Толщина товара | 2.38 |
| Разъем | M.2 |
| Ударостойкость при работе | 1500 G |
| Ударостойкость при хранении | 1500 G |
| Вес упаковки (ед) | 0.12 |
| Объем кэш-памяти SSD | 0.5 |
| Тип жесткого диска | SSD |
| Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 88000 |
| Интерфейс | SATA III |
| Назначение | для ПК/ноутбука |
| Тип памяти NAND | TLC |
| Структура памяти NAND | 3D |
