Детали
| Бренд | SAMSUNG |
|---|---|
| Форм-фактор | 2.5` |
| Серия | 870 EVO |
| PartNumber/Артикул Производителя | MZ-77E250BW |
| Объем накопителя | 250 |
| Категория Применения | 250GB |
| Максимальная скорость чтения | 560 |
| Максимальная скорость записи | 530 |
| Время наработки на отказ | 1500000 |
| Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 98000 |
| Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 88000 |
| Потребляемая мощность | 3.5 |
| Мощность в режиме ожидания | 0.03 |
| Толщина | 6.8 |
| Ссылка на сайт поставщика/вендора | https://www.samsung.com/ru/memory-storage/sata-ssd/870-evo-250gb-sata-3-2-5-ssd-mz-77e250bw/ |
| Длина упаковки (ед) | 0.15 |
| Ширина упаковки (ед) | 0.1 |
| Высота упаковки (ед) | 0.02 |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.15×0.1×0.02 |
| Вес упаковки (ед) | 0.127 |
| Объем упаковки (ед) | 0.0003 |
| Контроллер NAND | Samsung MKX |
| Разъем | SATA |
| Ударостойкость при работе | 1500 G |
| Ударостойкость при хранении | 1500 G |
| Модель | MZ-77E250BW |
| Объем кэш-памяти SSD | 0.5 |
| Тип памяти NAND | 3D TLC |
| Тип жесткого диска | SSD |
| Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 88000 |
| Интерфейс | SATA III |
| DRAM буфер | ДА |
| Объем DRAM буфера | 512 |
| Ресурс TBW | 150 |
