Твердотельный накопитель / WD Black SN850X 1TB (WDS100T2X0E) / WD SSD Black SN850X, 1.0TB, M.2(22x80mm), NVMe, PCIe 4.0 x4, 3D TLC, R/W 7300/6300MB/s, IOPs 800 000/1 100 000, TBW 600, DWPD 0.3 (12 мес.) — B2B Каталог НАСКА
Твердотельный накопитель / WD Black SN850X 1TB (WDS100T2X0E) / WD SSD Black SN850X, 1.0TB, M.2(22x80mm), NVMe, PCIe 4.0 x4, 3D TLC, R/W 7300/6300MB/s, IOPs 800 000/1 100 000, TBW 600, DWPD 0.3 (12 мес.)
Опубликовано: 30.09.2022

$157.53 - $158.34 | 14 212.90 - 15 860.09

Доступно для заказа: уточните у менеджера
Артикул: WDS100T2X0E Категории: ,

Детали

Бренд

WD

PartNumber/Артикул Производителя

WDS100T2X0E

Форм-фактор

M.2 2280

Серия

Black SN850X

Модель

WDS100T2X0E

Вес упаковки (ед)

0.04

Максимальная скорость чтения

7300

Максимальная скорость записи

6300

Поддержка NVMe

ДА

Тип памяти NAND

3D

Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)

800000

Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)

1100000

Ресурс TBW

600

Толщина товара

2.38

Для геймеров

ДА

Объем накопителя

1024

Разъем

M.2

Тип жесткого диска

SSD

Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)

1100000

Длина упаковки (ед)

0.105

Ширина упаковки (ед)

0.02

Высота упаковки (ед)

0.15

Габариты упаковки (ед) ДхШхВ

0.105×0.02×0.15

Объем упаковки (ед)

0.000315

Интерфейс

PCIe 4.0 x4

Ширина товара

22

Длина товара

80

Вес устройства

7.5

Ключ M.2 разъема

M

Для ПК/ноутбука

ДА


* Внешний вид товара, его цвет и характеристики могут отличаться от представленных на сайте. Производитель оставляет за собой право без уведомления потребителя вносить изменения в конструкцию изделий для улучшения их технологических и эксплуатационных параметров. Технические характеристики товара могут отличаться, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ.

** От партии к партии допустимы некоторые расхождения в оттенке цвета, объясняемые применяемой технологией.