Твердотельный накопитель / WD WDS200T3X0E / WD SSD Black SN770 NVMe, 2.0TB, M.2(22x80mm), NVMe, PCIe 4.0 x4, 3D TLC, R/W 5150/4850MB/s, IOPs 650 000/800 000, TBW 1200, DWPD 0.3 (12 мес.) — B2B Каталог НАСКА
Твердотельный накопитель / WD WDS200T3X0E / WD SSD Black SN770 NVMe, 2.0TB, M.2(22x80mm), NVMe, PCIe 4.0 x4, 3D TLC, R/W 5150/4850MB/s, IOPs 650 000/800 000, TBW 1200, DWPD 0.3 (12 мес.)
Опубликовано: 14.09.2022

$253.51 - $263.12 | 23 278.28 - 25 603.55

Доступно для заказа: уточните у менеджера
Артикул: WDS200T3X0E Категории: ,

Детали

Бренд

WD

Объем накопителя

2048

Форм-фактор

M.2 2280

Серия

Black SN770

Модель

WDS200T3X0E

PartNumber/Артикул Производителя

WDS200T3X0E

Максимальная скорость чтения

5150

Максимальная скорость записи

4850

Поддержка NVMe

ДА

Разъем

M.2

Тип памяти NAND

3D TLC

Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)

650000

Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)

800000

Ресурс TBW

1200

Толщина товара

2.38

Ссылка на сайт поставщика/вендора

https://www.westerndigital.com/ru-ru/products/internal-drives/wd-black-sn770-nvme-ssd#WDS200T3X0E

Вес упаковки (ед)

0.1

Тип жесткого диска

SSD

Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)

800000

Длина упаковки (ед)

0.125

Ширина упаковки (ед)

0.101

Габариты упаковки (ед) ДхШхВ

0.125×0.101×0.02

Высота упаковки (ед)

0.02

Объем упаковки (ед)

0.0002525

Интерфейс

PCIe 4.0 x4

Объем накопителя ТБ

2


* Внешний вид товара, его цвет и характеристики могут отличаться от представленных на сайте. Производитель оставляет за собой право без уведомления потребителя вносить изменения в конструкцию изделий для улучшения их технологических и эксплуатационных параметров. Технические характеристики товара могут отличаться, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ.

** От партии к партии допустимы некоторые расхождения в оттенке цвета, объясняемые применяемой технологией.