Память DDR4 4Gb 2666MHz Hynix HMA851S6JJR6N-VKN0 OEM PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank — B2B Каталог НАСКА
Память DDR4 4Gb 2666MHz Hynix HMA851S6JJR6N-VKN0 OEM PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank
Опубликовано: 21.03.2022

$14.95 | 1 370.79

Доступно для заказа: уточните у менеджера
Артикул: HMA851S6JJR6N-VKN0 Категория:

Детали

Бренд

HYNIX

Тип памяти

DDR4

Объем

4096

Частотная спецификация

2666

Количество в упаковке

1

Тип поставки

OEM

Форм-фактор

SO-DIMM

Буферизация

unbuffered

Количество контактов

260-pin

Показатель скорости

PC4-21300

Скорость (тест)

2666МГц

Напряжение (тест)

1.2В

Латентность

CL19

Количество рангов (Ranks)

single rank

PartNumber/Артикул Производителя

HMA851S6JJR6N-VKN0

Модель

HMA851S6JJR6N-VKN0

Задержка (тест)

19-19-19

Объем одного модуля

4

Суммарный объем памяти всего комплекта

4

Тип

Оперативная память

RAS to CAS Delay (tRCD)

19

Row Precharge Delay (tRP)

19


* Внешний вид товара, его цвет и характеристики могут отличаться от представленных на сайте. Производитель оставляет за собой право без уведомления потребителя вносить изменения в конструкцию изделий для улучшения их технологических и эксплуатационных параметров. Технические характеристики товара могут отличаться, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ.

** От партии к партии допустимы некоторые расхождения в оттенке цвета, объясняемые применяемой технологией.