Память DDR4 4Gb 2666MHz Silicon Power SP004GBSFU266N02 RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank — B2B Каталог НАСКА
Память DDR4 4Gb 2666MHz Silicon Power SP004GBSFU266N02 RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank
Опубликовано: 16.09.2022

$14.31 | 1 303.97

Доступно для заказа: 145
Артикул: SP004GBSFU266N02 Категория:

Детали

Бренд

SILICON POWER

Тип памяти

DDR4

Объем

4096

Частотная спецификация

2666

Количество в упаковке

1

Тип поставки

Ret

Буферизация

unbuffered

Количество контактов

260-pin

Показатель скорости

PC4-21300

Скорость (тест)

2666МГц

Напряжение (тест)

1.2В

Латентность

CL19

Количество рангов (Ranks)

single rank

PartNumber/Артикул Производителя

SP004GBSFU266N02

Модель

SP004GBSFU266N02

Форм-фактор

SO-DIMM

Ссылка на сайт поставщика/вендора

https://www.silicon-power.com/web/by/product-DDR4_SODIMM

Объем одного модуля

4

Суммарный объем памяти всего комплекта

4

Тип

Оперативная память

Пропускная способность

21300

Длина упаковки (ед)

0.18

Ширина упаковки (ед)

0.17

Высота упаковки (ед)

0.015

Габариты упаковки (ед) ДхШхВ

0.18×0.17×0.015

Вес упаковки (ед)

0.035

Объем упаковки (ед)

0.000459


* Внешний вид товара, его цвет и характеристики могут отличаться от представленных на сайте. Производитель оставляет за собой право без уведомления потребителя вносить изменения в конструкцию изделий для улучшения их технологических и эксплуатационных параметров. Технические характеристики товара могут отличаться, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ.

** От партии к партии допустимы некоторые расхождения в оттенке цвета, объясняемые применяемой технологией.