Детали
| Бренд | SAMSUNG |
|---|---|
| Тип памяти | DDR5 |
| Объем | 16384 |
| Количество в упаковке | 1 |
| Тип поставки | OEM |
| Форм-фактор | SO-DIMM |
| Буферизация | unbuffered |
| Напряжение (тест) | 1.1В |
| Латентность (CAS) | CL40 |
| PartNumber/Артикул Производителя | M425R2GA3BB0-CWM |
| Модель | M425R2GA3BB0-CWM |
| Количество рангов (Ranks) | single rank |
| Скорость (тест) | 5600МГц |
| Количество контактов | 262-pin |
| Суммарный объем памяти всего комплекта | 16 |
| Объем одного модуля | 16 |
| Тактовая частота | 5600 |
| Тип | Оперативная память |
| Задержка (тест) | 40-40-40 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 40 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 40 |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.07×0.03×0.003 |
| Вес упаковки (ед) | 0.032 |
| Объем упаковки (ед) | 0.0000063 |
| Обозначение памяти | SO-DIMM |
| Показатель скорости | PC5-44800 |
| Пропускная способность | 44800 |
