Детали
| Бренд | SAMSUNG |
|---|---|
| Тип памяти | DDR5 |
| Объем | 8192 |
| Количество в упаковке | 1 |
| Тип поставки | OEM |
| Форм-фактор | DIMM |
| Буферизация | unbuffered |
| Количество контактов | 288-pin |
| Показатель скорости | PC5-38400 |
| Напряжение (тест) | 1.1В |
| Латентность (CAS) | CL40 |
| Количество рангов (Ranks) | single rank |
| PartNumber/Артикул Производителя | M323R1GB4DB0-CWM |
| Модель | M323R1GB4DB0-CWM |
| Тактовая частота | 5600 |
| Скорость (тест) | 5600МГц |
| Объем одного модуля | 8 |
| Тип | Оперативная память |
| Суммарный объем памяти всего комплекта | 8 |
| Пропускная способность | 38400 |
| Задержка (тест) | 40-40-40 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 40 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 40 |
| Ссылка на сайт поставщика/вендора | https://semiconductor.samsung.com/dram/module/udimm/m323r1gb4db0-cwm/ |
| Длина упаковки (ед) | 0.133 |
| Ширина упаковки (ед) | 0.03 |
| Высота упаковки (ед) | 0.003 |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.133×0.03×0.003 |
| Вес упаковки (ед) | 0.016 |
| Объем упаковки (ед) | 0.00001197 |
