Память оперативная / Samsung Electronics M321R4GA3EB0-CWMXJ / Память оперативная/ Samsung DDR5 32GB RDIMM 5600 2Rx8 1.1V — B2B Каталог НАСКА
Память оперативная / Samsung Electronics M321R4GA3EB0-CWMXJ / Память оперативная/ Samsung DDR5 32GB RDIMM 5600 2Rx8 1.1V
Опубликовано: 08.10.2025

71 890.59

Доступно для заказа: уточните у менеджера
Артикул: M321R4GA3EB0-CWMXJ Категория:

Описание

Серверная память Samsung DDR5 32GB RDIMM 5600 2Rx8 1.1V разработана для обеспечения бесперебойной работы корпоративных систем и центров обработки данных. Модуль соответствует передовым стандартам индустрии, предлагая высокую плотность записи и исключительную надежность. Это оптимальный выбор для серверов, занимающихся виртуализацией, облачными вычислениями и обработкой больших данных в режиме 24/7.

Модуль работает на тактовой частоте 5600 МГц, обеспечивая пропускную способность PC5-44800, что позволяет серверному оборудованию мгновенно обрабатывать огромные потоки информации. Технология On-Die ECC автоматически выявляет и исправляет битовые ошибки, гарантируя целостность данных и стабильность системы. Регистровая архитектура (RDIMM) снижает нагрузку на контроллер процессора, позволяя эффективно использовать все слоты памяти на материнской плате. Рабочее напряжение 1.1 В и встроенная микросхема PMIC обеспечивают энергоэффективность, снижая тепловыделение и улучшая температурный режим в плотно укомплектованных серверных стойках.

Реактивная скорость 5600 МГц

Модуль функционирует на тактовой частоте 5600 МГц, что обеспечивает пропускную способность уровня PC5-44800. Стандарт DDR5 удваивает длину пакета данных и количество банков памяти по сравнению с прошлым поколением. Это позволяет серверному оборудованию мгновенно обрабатывать огромные потоки информации, минимизируя время отклика в критически важных приложениях.

Коррекция ошибок On-Die ECC

Важным преимуществом является технология On-Die ECC, которая выявляет и исправляет битовые ошибки непосредственно внутри чипа памяти. В сочетании с регистровой архитектурой (RDIMM), это гарантирует высочайшую стабильность системы и целостность данных. Буферизация сигналов снижает нагрузку на контроллер процессора, позволяя эффективно использовать все слоты памяти на материнской плате.

Энергоэффективность 1.1 В

Управление питанием осуществляется через встроенную микросхему PMIC, расположенную прямо на текстолите модуля. Это решение повышает качество сигнала и снижает рабочее напряжение до 1.1 В. Уменьшенное энергопотребление не только сокращает расходы на электричество, но и снижает тепловыделение, облегчая температурный режим внутри плотно укомплектованных серверных стоек.

Двухранговая структура 2Rx8

Память имеет двухранговую организацию (2Rx8), что является оптимальным балансом между емкостью и производительностью. Такая компоновка позволяет контроллеру эффективно использовать чередование доступа к банкам памяти. Это повышает общую скорость выполнения многопоточных операций, что особенно актуально для сложных серверных нагрузок.

Детали

Тип памяти

DDR5

Номинальное напряжение(В)

1.1

Форм-фактор памяти

RDIMM

Общий объем памяти(Гбайт)

32

Объем одного модуля(Гбайт)

32

Количество модулей в комплекте(шт.)

1

Частота(МГц)

5600

Память с коррекцией ошибок

1

Небуферизированная память (UDIMM)
Регистровая память (RDIMM)

1

Модуль со сниженной нагрузкой (LDRDIMM)

* Внешний вид товара, его цвет и характеристики могут отличаться от представленных на сайте. Производитель оставляет за собой право без уведомления потребителя вносить изменения в конструкцию изделий для улучшения их технологических и эксплуатационных параметров. Технические характеристики товара могут отличаться, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ.

** От партии к партии допустимы некоторые расхождения в оттенке цвета, объясняемые применяемой технологией.