Твердотельный накопитель / Samsung MZ-VAP8T0BW / Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 9100 PRO, 8000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 5.0 x4, V-NAND TLC, R/W 14800/13400MB/s, IOPs 2 200 000/2 600 000, TBW 4800, DWPD 0.3 (12 мес.) — B2B Каталог НАСКА
Твердотельный накопитель / Samsung MZ-VAP8T0BW / Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 9100 PRO, 8000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 5.0 x4, V-NAND TLC, R/W 14800/13400MB/s, IOPs 2 200 000/2 600 000, TBW 4800, DWPD 0.3 (12 мес.)
Опубликовано: 24.09.2026

259 026.02₽

Доступно для заказа: уточните у менеджера
Артикул: MZ-VAP8T0BW Категория:

Описание

Доведите производительность PCIe 5.0 до предела. 9100 PRO обеспечивает высокую скорость последовательного чтения/записи до 14 800/13 400 МБ/с, что вдвое быстрее, чем у 990 PRO. Оставьте позади ограничения Gen4 благодаря скорости случайного чтения/записи до 2200K/2600K IOPS, достижимой только с Gen5. Расширьте границы своей производительности. Потрясающая скорость случайного чтения/записи позволяет быстро обрабатывать бесчисленные фрагментированные наборы данных параллельно — до 2200 тыс./2600 тыс. операций ввода-вывода в секунду. Оцените мгновенную загрузку и вывод данных — для масштабных игр, ресурсоемких задач и даже приложений искусственного интеллекта. Интеллект определяет производительность. Возможности для работы и развлечений — благодаря интегрированному ПК с искусственным интеллектом и генерации контента с помощью ИИ. Благодаря впечатляющей скорости случайного чтения/записи 9100 PRO, до 2200K/2600K IOPS. Быстрая загрузка, плавный игровой процесс, безупречная производительность. Благодаря интерфейсам PCIe 5.0 вы без труда освоите видеомонтаж, 3D-дизайн и даже длительные сеансы потоковой передачи. Оцените современную производительность. В любое время, в любом месте и на нескольких устройствах. Выберите необходимый объем хранилища — до 8 ТБ.

Детали

Средняя наработка на отказ(ч)

1500000

Форм-фактор

M.2 2280

Интерфейс

PCIe 5.0 x4

Ёмкость накопителя(Гбайт)

8000

Назначение

Клиентские ПК

Модель

Samsung 9100 PRO

Тип памяти

V-NAND

DRAM буфер

1

Скорость последовательного чтения(Мбайт/c)

14800

Скорость последовательной записи( Мбайт/c)

13400

Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32)(IOPS)

2200000

Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32)(IOPS)

2600000

TBW твердотельного накопителя(Тбайт)

4800

Особенности

расширенный температурный диапазон


* Внешний вид товара, его цвет и характеристики могут отличаться от представленных на сайте. Производитель оставляет за собой право без уведомления потребителя вносить изменения в конструкцию изделий для улучшения их технологических и эксплуатационных параметров. Технические характеристики товара могут отличаться, уточняйте технические характеристики товара на момент покупки и оплаты. Вся информация на сайте о товарах носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ.

** От партии к партии допустимы некоторые расхождения в оттенке цвета, объясняемые применяемой технологией.